9 月 20 日，长鑫存储在世界制造业大会上宣布第五代 DRAM 技术平台（G5）实现量产，同步展出基于该平台的两款 24Gb LPDDR5X 产品。

按官方披露，G5 平台依托四重曝光技术将有源区半间距微缩至 11.95 纳米，电容深宽比达到 45:1，核心功能区高度缩小至 6762 纳米；每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少 50%。两款 LPDDR5X 分别采用 496Ball 与 245Ball 封装，已进入规模量产。

服务器市场才是下一站

10 月 30 日的三季度业绩说明会上，管理层表示 2027 年主力产品产能已收到客户预订，服务器 DDR5 当前处于供不应求状态。截至 9 月末，公司合同负债 70.36 亿元，较 2025 年末的 4.47 亿元增长近 15 倍，主要为客户预付的产能锁定资金；第六代 DRAM 工艺平台已完成工程样片验证。

产能侧，据 TechPowerUp 报道，长鑫 2026 年底 DRAM 月产能预计约 35 万片，同期美光约 37.5 万片。公司还计划在年底前推出基于 4F² 架构与混合键合的 DDR5 RDIMM，首次正面进入服务器与工作站市场。

来源：长鑫存储官网（2026 年 9 月 20 日）、长鑫科技 2026 年第三季度业绩说明会、TechPowerUp